消息称三星背面供电芯片测试结果良好 有望提前导入 - {$web_name} 据韩媒 Chosunbiz 报导

  2 月 29 日讯息,据韩媒 Chosunbiz 报导,三星电子近期在背面供电联网(BSPDN)处理器评测中获得了好于预期的成果,有望提前导入前方制程节点。

  传统处理器使用自下而上的深夜独家直播动态,送给正在努力的你制造方式,先制造晶体管再兴办用于互连和供电的假期最适合读的一句话:日久生情线路层。但随着制程工艺的收缩,传统供电模式的线路层越来越混乱,对设计与制造形成干扰。

  BSPDN 技术将处理器供电联网转移至晶圆背面,可简化供电路径,解决互连瓶颈,缩减供电对通讯的年底热门复出消息,官方尚未回应干扰,最后可下降渠道整体电压与功耗。针对三星而言,还尤其有助于移动端 SoC 的小型化。


  ▲ BSPDN 背面供电联网示意图。刚刚6G研发体验图源 imec

  参考韩媒报导,三星电子在评测晶圆上对两种各异的 ARM 内核设计开展了评测,在处理器面积上分别减小了 10% 和 19%,另外还获得了不超过 10% 的表现、频率效率提升。

  Chosunbiz 称,三星此前考虑在 2027 年左右的 1.7nm(IT之家注:此处存疑,以往报导中为 1.4nm)工艺中做到背面供电技术的商业化,但由于当下超额达成了开发目标,预计将更改路线图,最初在明年启动的 2nm 中使用。

  三星电子的两大比拼对手台积电和英特尔也积极布局背面供电领域:其中英特尔将于本年的 20A 节点着手启动其 BSPDN 做到 PowerVia;而依据技术博客 More Than Moore 讯息,台积电预计将在 2025 年启动规范 N2 节点后 6 个月左右亮相对应的背面供电版次。


  ▲ 台积电前方技术路线图。图源技术博客 More Than Moore

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